Seminario de Física: Control de las vacancias de Oxígeno en los memristor ferroeléctricos

El programa de física, tiene el gusto de invitarles a la Conferencia “Control de las vacancias de Oxígeno en los memristor ferroeléctricos” en el marco del Seminario de Física, a cargo del doctor Diego Arias Serna.

El doctor Arias Serna, disertará sobre “Control de vacancias de oxígeno en elo memristor ferroeléctricos

RESUMEN: El memristor es el cuarto element circuital que ha cambiado el concepto tradicional de los circuitos eléctricos. En esta ocasion se presentará la importancia de las vacantes de oxígeno como el defecto más común en los óxidos de perovskita y cómo su control está asociado en la obtención de dispositivos de memoria.

En sistemas nanoestructurados, las vacantes de oxígeno pueden acumularse bajo la acción de campos eléctricos externos y ser la fuente de nuevas funcionalidades. En esta presentación hacemos uso del control dinámico del perfil de vacantes en la barrera de espesor nanométrico de una unión túnel ferroeléctrica para demostrar la interacción entre la conmutación resistiva (vacante de oxígeno) y la ferroelectricidad.

DIEGO ARIAS SERNA

Lugar: Salón 112 Edificio de Ciencias Básicas.

Fecha: jueves 16 de agosto 2018

Hora: 4:00 a 6:00 pm.

Invita: Programa de Física

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